半导体外延设备

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN201030247805.9
申请日
2010-07-23
公开(公告)号
CN301484009S
公开(公告)日
2011-03-16
发明(设计)人
王占柱 常依斌 李刚
申请人
申请人地址
201616 上海市松江区文俊路2号
IPC主分类号
1599
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
半导体外延基座和半导体外延设备 [P]. 
李伟 ;
王剑伟 ;
周华 .
中国专利 :CN120099633A ,2025-06-06
[2]
半导体外延设备 [P]. 
刘俊 ;
邢超 ;
李兵 ;
王伟 .
中国专利 :CN222214127U ,2024-12-20
[3]
半导体外延设备(MOCVD设备) [P]. 
王涛 .
中国专利 :CN309335870S ,2025-06-13
[4]
半导体外延生长设备 [P]. 
曾强 ;
查恒 ;
卞达开 ;
罗际蔚 .
中国专利 :CN117802577A ,2024-04-02
[5]
半导体外延生长设备 [P]. 
曾强 ;
查恒 ;
卞达开 ;
罗际蔚 .
中国专利 :CN117802577B ,2024-08-06
[6]
半导体外延设备的尾气收集机构及半导体外延设备 [P]. 
傅林坚 ;
刘毅 ;
曹建伟 ;
朱亮 ;
梁旭 ;
冯欣凯 .
中国专利 :CN222024561U ,2024-11-19
[7]
半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备 [P]. 
邹传巍 .
中国专利 :CN111501098B ,2020-08-07
[8]
腔盖和半导体外延设备 [P]. 
王涛 ;
夏杨建 .
中国专利 :CN119932706A ,2025-05-06
[9]
半导体外延基板 [P]. 
角田浩二 ;
野崎龙也 ;
金井进 .
中国专利 :CN102782195A ,2012-11-14
[10]
半导体外延结构 [P]. 
林子尧 ;
刘嘉哲 ;
施英汝 .
中国专利 :CN116072523B ,2025-08-12