半导体外延设备(MOCVD设备)

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN202430412801.3
申请日
2024-07-03
公开(公告)号
CN309335870S
公开(公告)日
2025-06-13
发明(设计)人
王涛
申请人
一塔半导体(安徽)有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区云二路176号珠江路科技园B栋一层南侧103室
IPC主分类号
15-99
IPC分类号
代理机构
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共 50 条
[1]
半导体外延设备 [P]. 
王占柱 ;
常依斌 ;
李刚 .
中国专利 :CN301484009S ,2011-03-16
[2]
外延设备(MOCVD设备) [P]. 
甘志银 ;
胡少林 ;
陈倩翌 ;
严晗 ;
王亮 .
中国专利 :CN301734655S ,2011-11-23
[3]
半导体外延设备 [P]. 
刘俊 ;
邢超 ;
李兵 ;
王伟 .
中国专利 :CN222214127U ,2024-12-20
[4]
半导体外延基座和半导体外延设备 [P]. 
李伟 ;
王剑伟 ;
周华 .
中国专利 :CN120099633A ,2025-06-06
[5]
半导体外延设备的尾气收集机构及半导体外延设备 [P]. 
傅林坚 ;
刘毅 ;
曹建伟 ;
朱亮 ;
梁旭 ;
冯欣凯 .
中国专利 :CN222024561U ,2024-11-19
[6]
半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备 [P]. 
邹传巍 .
中国专利 :CN111501098B ,2020-08-07
[7]
半导体外延生长设备 [P]. 
曾强 ;
查恒 ;
卞达开 ;
罗际蔚 .
中国专利 :CN117802577A ,2024-04-02
[8]
半导体外延生长设备 [P]. 
曾强 ;
查恒 ;
卞达开 ;
罗际蔚 .
中国专利 :CN117802577B ,2024-08-06
[9]
腔盖和半导体外延设备 [P]. 
王涛 ;
夏杨建 .
中国专利 :CN119932706A ,2025-05-06
[10]
一种MOCVD半导体外延设备的喷淋匀气结构 [P]. 
李健 ;
裴艳丽 ;
王钢 .
中国专利 :CN117821928A ,2024-04-05