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一种MOCVD半导体外延设备的喷淋匀气结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311783833.5
申请日：
2023-12-22
公开(公告)号：
CN117821928A
公开(公告)日：
2024-04-05
发明(设计)人：
李健 裴艳丽 王钢
申请人：
佛山市中山大学研究院 中山大学
申请人地址：
528225 广东省佛山市南海区狮山镇狮中村兴业北路200号行政楼五楼
IPC主分类号：
C23C16/18
IPC分类号：
C23C16/455 C23C16/46
代理机构：
上海领誉知识产权代理有限公司 31383
代理人：
车超平
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/18申请日:20231222
2024-04-05 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体外延设备（MOCVD设备） [P]. 
王涛 .
中国专利 :CN309335870S ,2025-06-13
[2]
半导体外延基座和半导体外延设备 [P]. 
李伟 ;
王剑伟 ;
周华 .
中国专利 :CN120099633A ,2025-06-06
[3]
半导体外延设备 [P]. 
王占柱 ;
常依斌 ;
李刚 .
中国专利 :CN301484009S ,2011-03-16
[4]
半导体外延设备 [P]. 
刘俊 ;
邢超 ;
李兵 ;
王伟 .
中国专利 :CN222214127U ,2024-12-20
[5]
半导体外延设备的尾气收集机构及半导体外延设备 [P]. 
傅林坚 ;
刘毅 ;
曹建伟 ;
朱亮 ;
梁旭 ;
冯欣凯 .
中国专利 :CN222024561U ,2024-11-19
[6]
一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置 [P]. 
王钢 ;
李健 ;
范冰丰 .
中国专利 :CN104264217A ,2015-01-07
[7]
半导体外延片结构 [P]. 
苏军 .
中国专利 :CN218004867U ,2022-12-09
[8]
一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置 [P]. 
王钢 ;
李健 ;
范冰丰 .
中国专利 :CN204151456U ,2015-02-11
[9]
半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备 [P]. 
邹传巍 .
中国专利 :CN111501098B ,2020-08-07
[10]
半导体外延结构 [P]. 
林子尧 ;
刘嘉哲 ;
施英汝 .
中国专利 :CN116072523B ,2025-08-12
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