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一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201420606400.2
申请日
:
2014-10-20
公开(公告)号
:
CN204151456U
公开(公告)日
:
2015-02-11
发明(设计)人
:
王钢
李健
范冰丰
申请人
:
申请人地址
:
528222 广东省佛山市南海区南海软件园信息大道崇贤楼A栋三层
IPC主分类号
:
C30B2508
IPC分类号
:
C23C1618
代理机构
:
广州圣理华知识产权代理有限公司 44302
代理人
:
顿海舟;陈业胜
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-02-11
授权
授权
共 50 条
[1]
一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置
[P].
王钢
论文数:
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王钢
;
李健
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李健
;
范冰丰
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范冰丰
.
中国专利
:CN104264217A
,2015-01-07
[2]
一种半导体外延片
[P].
孙一军
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孙一军
;
金豫浙
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金豫浙
;
冯亚萍
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冯亚萍
;
李志聪
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李志聪
;
王国宏
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王国宏
.
中国专利
:CN206116447U
,2017-04-19
[3]
一种半导体外延片
[P].
陈海宁
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陈海宁
.
中国专利
:CN209896040U
,2020-01-03
[4]
半导体外延片
[P].
苏军
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苏军
.
中国专利
:CN218101270U
,2022-12-20
[5]
一种外延片及半导体外延器件
[P].
闫其昂
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闫其昂
;
王国斌
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王国斌
.
中国专利
:CN217822838U
,2022-11-15
[6]
一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及MOCVD反应室
[P].
魏唯
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魏唯
;
罗才旺
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罗才旺
;
贾京英
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贾京英
;
陈特超
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陈特超
;
孙雪平
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孙雪平
;
吕文利
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吕文利
.
中国专利
:CN102758192B
,2012-10-31
[7]
基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片
[P].
闫其昂
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闫其昂
;
王国斌
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王国斌
.
中国专利
:CN114566571A
,2022-05-31
[8]
半导体外延片真空夹持装置
[P].
胡忞远
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胡忞远
;
阳红涛
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阳红涛
;
刘应军
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刘应军
;
方小涛
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方小涛
.
中国专利
:CN203134768U
,2013-08-14
[9]
一种半导体外延片真空夹持装置
[P].
胡晓海
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机构:
苏州中科重仪半导体材料有限公司
苏州中科重仪半导体材料有限公司
胡晓海
.
中国专利
:CN220324435U
,2024-01-09
[10]
半导体外延设备(MOCVD设备)
[P].
王涛
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机构:
一塔半导体(安徽)有限公司
一塔半导体(安徽)有限公司
王涛
.
中国专利
:CN309335870S
,2025-06-13
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