一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及MOCVD反应室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210283863.5

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN102758192B

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

魏唯罗才旺贾京英陈特超孙雪平吕文利

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

C23C16458

IPC分类号：

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

马强;李发军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101370323390 IPC(主分类):C23C 16/458 专利申请号:2012102838635 申请日:20120810
2014-08-20	授权	授权
2012-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置 [P].

王钢 ;

李健 ;

范冰丰 .

中国专利 :CN104264217A ,2015-01-07

[2]

一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置 [P].

王钢 ;

李健 ;

范冰丰 .

中国专利 :CN204151456U ,2015-02-11

[3]

半导体外延生长设备的载片盘及外延生长设备 [P].

王涛 ;

郭军强 ;

王永 ;

夏杨建 .

中国专利 :CN119877093A ,2025-04-25

[4]

一种外延片及半导体外延器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN217822838U ,2022-11-15

[5]

一种半导体外延片 [P].

孙一军 ;

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

李志聪 ;

王国宏 .

中国专利 :CN206116447U ,2017-04-19

[6]

半导体外延设备中的反应腔室及半导体外延设备 [P].

邹传巍 .

中国专利 :CN111501098B ,2020-08-07

[7]

一种半导体外延片 [P].

陈海宁 .

中国专利 :CN209896040U ,2020-01-03

[8]

基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114566571A ,2022-05-31

[9]

一种半导体外延片及其工艺方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN119947359A ,2025-05-06

[10]

一种半导体外延片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN120018659A ,2025-05-16

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