具有选择性背侧电力和地分配以及最大面积去耦电容器的半导体电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411865114.2

申请日：

2024-12-18

公开(公告)号：

CN120201767A

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

D·M·雷伯 R·布杉

申请人：

恩智浦有限公司

申请人地址：

荷兰

IPC主分类号：

H10D84/02

IPC分类号：

H10D84/03 H01L21/78 H01L21/768 H01L23/48 H01L23/64 H01L23/528 H01L23/522 H10D84/80 H10D86/00 H10D86/01

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张丹

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 7 条

[1]

具有堆叠的去耦电容器的半导体器件 [P].

梁香子 .

中国专利 :CN1848436A ,2006-10-18

[2]

基于最大反谐振点的电源分配网络去耦电容器选择方法 [P].

刘洋 ;

原玉章 ;

甄江平 ;

赵强 ;

陈孔前 ;

陈伟伟 .

中国专利 :CN104112048A ,2014-10-22

[3]

具有去耦电容器结构的半导体元件及其制备方法 [P].

杨吴德 .

中国专利 :CN117727743A ,2024-03-19

[4]

具有去除了部分材料的电极的电容器以及相关半导体装置、系统和方法 [P].

D·D·史莱伦 ;

李康乐 ;

M·N·洛克莱 ;

黄韦静 ;

徐平成 ;

S·科尔克马兹 ;

S·萨帕 ;

A-J·B·程 .

中国专利 :CN114824085A ,2022-07-29

[5]

半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

林勇志 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN113053855B ,2024-12-24

[6]

半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

林勇志 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN113053855A ,2021-06-29

[7]

具有中间电路电容器级联以及DC侧共模和差模滤波器的逆变器 [P].

海因茨·林登伯格 .

中国专利 :CN110637411B ,2019-12-31

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	公开	公开