ダイヤモンド基板及びその製造方法並びにセンサー[ja]

被引：0

申请号：

JP20240018035

申请日：

2024-02-08

公开(公告)号：

JP2025076971A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

NOGUCHI HITOSHI MAKINO TOSHIHARU OGURA MASAHIKO KATO HIROMITSU HARUYAMA MORIYOSHI KAJIYAMA KENICHI KAINUMA YUTA HATANO YUJI IWASAKI TAKAYUKI HATANO MUTSUKO

申请人：

SHINETSU CHEMICAL CO AIST INST OF SCIENCE OF TOKYO

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/04

IPC分类号：

C23C16/27 H01L21/205

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015190427A1 ,2017-04-20

[2]

ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017022647A1 ,2018-05-31

[3]

ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015119067A1 ,2017-03-23

[4]

ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015046294A1 ,2017-03-09

[5]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

NOGUCHI HITOSHI ;

MAKINO TOSHIHARU ;

OGURA MASAHIKO ;

KATO HIROMITSU ;

KAWASHIMA HIROYUKI ;

YAMAZAKI SATOSHI ;

TOKUDA NORIO .

日本专利 :JP2022109306A ,2022-07-27

[6]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7078947B2 ,2022-06-01

[7]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7298832B2 ,2023-06-27

[8]

下地基板及び単結晶ダイヤモンド積層基板並びにそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025175289A ,2025-12-01

[9]

表示基板及びその製造方法、並びに表示パネル[ja] [P].

日本专利 :JP2021531610A ,2021-11-18

[10]

表示基板及びその製作方法並びに表示装置[ja] [P].

日本专利 :JP2023514877A ,2023-04-12

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