改善半导体掺杂均匀性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510383776.4

申请日：

2025-03-28

公开(公告)号：

CN120280336A

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

孙博韬张园览修德琦

申请人：

清纯半导体（宁波）有限公司

申请人地址：

315336 浙江省宁波市慈溪市杭州湾新区玉海东路136号42#栋

IPC主分类号：

H01L21/265

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;杨娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20250328
2025-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体面电阻均匀性的改善方法 [P].

陆健 ;

张贵军 ;

沈健 ;

尤丽丽 .

中国专利 :CN103928291B ,2014-07-16

[2]

一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法 [P].

程洋 ;

郭银涛 ;

王俊 ;

刘恒 .

中国专利 :CN112670826A ,2021-04-16

[3]

半导体掺杂方法 [P].

黄启敬 ;

曾清秋 .

中国专利 :CN100358113C ,2006-05-17

[4]

用于改善半导体加工均匀性的传热系统 [P].

A·费希尔 .

中国专利 :CN101040059B ,2007-09-19

[5]

一种半导体离子注入均匀性的改善方法 [P].

窦伟 ;

邹志超 ;

李超波 .

中国专利 :CN103871813A ,2014-06-18

[6]

半导体的掺杂方法 [P].

吴永玉 ;

何学缅 .

中国专利 :CN101840854B ,2010-09-22

[7]

掺杂半导体的方法 [P].

O·多尔 ;

I·克勒 ;

S·巴尔特 .

中国专利 :CN107112381A ,2017-08-29

[8]

半导体掺杂的扩散深度检测方法 [P].

王亮 ;

张博健 ;

秦金 .

中国专利 :CN110098134A ,2019-08-06

[9]

高压半导体器件横向非均匀掺杂方法 [P].

廖楠 ;

黄武 ;

金晓静 ;

赵建明 ;

夏建新 .

中国专利 :CN113436967A ,2021-09-24

[10]

半导体掺杂及电阻控制法、半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

碓井节夫 ;

达拉姆·P·戈塞恩 .

中国专利 :CN1251307C ,2004-03-03

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