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半导体结构的制作方法及半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111151974.6
申请日：
2021-09-29
公开(公告)号：
CN116133399B
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
卢经文
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
杨蕾 .
中国专利 :CN114496926A ,2022-05-13
[2]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
杨蕾 .
中国专利 :CN114496926B ,2024-12-10
[3]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
赵文礼 .
中国专利 :CN115084031A ,2022-09-20
[4]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
陆豪俊 ;
洪海涵 ;
张民慧 ;
李涛 ;
丁孟雅 .
中国专利 :CN115020350A ,2022-09-06
[5]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
卢经文 .
中国专利 :CN113644032A ,2021-11-12
[6]
半导体结构的制作方法及半导体结构 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN116133372B ,2025-05-30
[7]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
刘忠明 ;
夏军 ;
白世杰 .
中国专利 :CN114446887A ,2022-05-06
[8]
半导体结构制作方法及半导体结构 [P]. 
杨蒙蒙 ;
白杰 .
中国专利 :CN114765130A ,2022-07-19
[9]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
王蒙蒙 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN113035835B ,2021-06-25
[10]
半导体结构及半导体结构制作方法 [P]. 
占康澍 ;
夏军 ;
宛强 ;
刘涛 ;
李森 .
中国专利 :CN115132728A ,2022-09-30
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