集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911241565.8

申请日：

2019-12-06

公开(公告)号：

CN111613622B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

尹壮根李载惪宋在爀

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B43/35

IPC分类号：

H10B43/10 H10B43/40 H10B43/27

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;王占杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路器件及其制造方法 [P].

尹壮根 ;

李载惪 ;

宋在爀 .

中国专利 :CN111613622A ,2020-09-01

[2]

集成电路器件及其制造方法 [P].

金泰善 ;

朴相真 ;

金荣晙 .

韩国专利 :CN120035212A ,2025-05-23

[3]

集成电路器件及其制造方法 [P].

郑圭镐 ;

闵淙渶 ;

白智睿 ;

李睿璱 ;

李真旭 ;

郑昌和 .

韩国专利 :CN117355132A ,2024-01-05

[4]

集成电路器件及其制造方法 [P].

朴钟淳 ;

罗炫旭 ;

裵根熙 ;

李珍旭 ;

崔昊范 .

韩国专利 :CN120527331A ,2025-08-22

[5]

集成电路器件及其制造方法 [P].

朴正敏 ;

金泰均 ;

林载顺 ;

丁炯硕 ;

金范宗 .

韩国专利 :CN120129237A ,2025-06-10

[6]

集成电路器件及其制造方法 [P].

金永培 ;

朴水贤 ;

安商燻 ;

李义福 ;

姜成进 ;

徐训硕 ;

吴赫祥 ;

李禹镇 .

中国专利 :CN108573949B ,2018-09-25

[7]

集成电路器件及其制造方法 [P].

张正伟 ;

王菘豊 ;

刘奕莹 ;

朱家宏 ;

李芳苇 .

中国专利 :CN112582407A ,2021-03-30

[8]

集成电路器件及其制造方法 [P].

赵真英 ;

金锡勋 ;

柳廷昊 ;

李承勋 ;

郑根熙 .

中国专利 :CN110600472A ,2019-12-20

[9]

集成电路器件及其制造方法 [P].

洪道一 ;

李介文 ;

陈国基 ;

林文杰 .

中国专利 :CN117913086A ,2024-04-19

[10]

集成电路器件及其制造方法 [P].

郑镛国 ;

朴起宽 .

中国专利 :CN107527910B ,2017-12-29

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