一种逆导型IGBT器件和制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310001514.8
申请日
2023-01-03
公开(公告)号
CN116053319B
公开(公告)日
2025-06-27
发明(设计)人
王丕龙 王新强 杨玉珍
申请人
青岛佳恩半导体有限公司
申请人地址
266000 山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
IPC主分类号
H10D12/00
IPC分类号
H10D12/01
代理机构
武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258
代理人
刘丹
法律状态
授权
国省代码
山东省 青岛市
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共 50 条
[1]
一种逆导型IGBT器件 [P]. 
任敏 ;
李吕强 ;
蓝瑶瑶 ;
郭乔 ;
李泽宏 ;
张波 .
中国专利 :CN111697070A ,2020-09-22
[2]
逆导型IGBT器件及制备方法 [P]. 
黄宝伟 ;
肖秀光 ;
吴海平 ;
陈刚 .
中国专利 :CN113066850B ,2021-07-02
[3]
逆导型IGBT器件的制造方法 [P]. 
孔蔚然 ;
杨继业 ;
潘嘉 .
中国专利 :CN111540679A ,2020-08-14
[4]
逆导型IGBT器件的制造方法 [P]. 
吴凯 ;
白玉明 ;
杨飞 ;
张广银 ;
朱阳军 .
中国专利 :CN111415984B ,2020-07-14
[5]
一种逆导型IGBT器件 [P]. 
任敏 ;
宋询奕 ;
李果 ;
顾鸿鸣 ;
张鹏 ;
吴明进 ;
曾智 ;
李泽宏 ;
张金平 ;
张波 .
中国专利 :CN103383957A ,2013-11-06
[6]
一种逆导型IGBT器件 [P]. 
李泽宏 ;
郭绪阳 ;
张明 ;
陈文梅 ;
伍济 ;
陈钱 ;
任敏 ;
张金平 ;
高巍 ;
张波 .
中国专利 :CN105206656A ,2015-12-30
[7]
一种逆导型IGBT器件 [P]. 
张文亮 ;
朱阳军 ;
田晓丽 ;
卢烁今 ;
胡爱斌 .
中国专利 :CN103855199A ,2014-06-11
[8]
逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10
[9]
逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18
[10]
逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
雷海波 .
中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10