逆导型IGBT器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010260320.6
申请日
2020-04-03
公开(公告)号
CN111415984B
公开(公告)日
2020-07-14
发明(设计)人
吴凯 白玉明 杨飞 张广银 朱阳军
申请人
申请人地址
211100 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)
IPC主分类号
H01L29417
IPC分类号
H01L2945 H01L21331
代理机构
苏州国诚专利代理有限公司 32293
代理人
韩凤
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
逆导型IGBT器件的制造方法 [P]. 
孔蔚然 ;
杨继业 ;
潘嘉 .
中国专利 :CN111540679A ,2020-08-14
[2]
逆导型IGBT半导体器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN103035691A ,2013-04-10
[3]
逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN103311270A ,2013-09-18
[4]
逆导型IGBT半导体器件及制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
雷海波 .
中国专利 :CN104701355A ,2015-06-10
[5]
逆导型IGBT器件及制备方法 [P]. 
黄宝伟 ;
肖秀光 ;
吴海平 ;
陈刚 .
中国专利 :CN113066850B ,2021-07-02
[6]
一种逆导型IGBT器件和制造方法 [P]. 
王丕龙 ;
王新强 ;
杨玉珍 .
中国专利 :CN116053319B ,2025-06-27
[7]
一种逆导型IGBT器件的制备方法 [P]. 
张朝阳 .
中国专利 :CN103887240B ,2014-06-25
[8]
沟槽栅逆导型IGBT器件 [P]. 
孙娜 ;
李淑霞 .
中国专利 :CN113451400A ,2021-09-28
[9]
逆导型IGBT [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114464676B ,2024-06-25
[10]
逆导型IGBT [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114464676A ,2022-05-10