衬底处理装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110163164.6

申请日：

2021-02-05

公开(公告)号：

CN114121713B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

中冈聡桥本有司藤田博

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/311

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

衬底处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

中冈聡 ;

桥本有司 ;

藤田博 .

中国专利 :CN114121713A ,2022-03-01

[2]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

佐佐木隆史 ;

福田正直 ;

南政克 ;

女川靖浩 .

中国专利 :CN102024695A ,2011-04-20

[3]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

原田和宏 ;

板谷秀治 .

中国专利 :CN102376640B ,2012-03-14

[4]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

福住高则 .

中国专利 :CN114798272A ,2022-07-29

[5]

衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

水野谦和 ;

佐佐木伸也 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN102543800A ,2012-07-04

[6]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[7]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

猪山诚 ;

庄子史人 ;

正村将利 .

中国专利 :CN114164470A ,2022-03-11

[8]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102034702B ,2011-04-27

[9]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

赤江尚德 ;

广濑义朗 ;

高泽裕真 ;

太田阳介 ;

笹岛亮太 .

中国专利 :CN102915910A ,2013-02-06

[10]

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 [P].

水野谦和 .

中国专利 :CN101807524A ,2010-08-18

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