一种近常压MPCVD系统及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510270906.3

申请日：

2025-03-07

公开(公告)号：

CN120249946A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

周云孙静茹臧春和谢青秀

申请人：

光子集成（温州）创新研究院

申请人地址：

325000 浙江省温州市龙湾区蒲州街道兴平路396号光电大厦5层

IPC主分类号：

C23C16/511

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/27

代理机构：

温州名创知识产权代理有限公司 33258

代理人：

朱海晓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/511申请日:20250307
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法 [P].

龚闯 ;

满卫东 ;

蒋梅荣 ;

杨春梅 ;

杨武 .

中国专利 :CN114959891B ,2024-07-19

[2]

一种激光辅助微波等离子体化学气相沉积系统及其应用 [P].

臧春和 ;

王斌 ;

孙静茹 ;

周云 .

中国专利 :CN120272888A ,2025-07-08

[3]

一种利用MPCVD制备碳化钼晶体时钼的引入方法 [P].

马志斌 ;

丁康俊 ;

高攀 ;

赵洪阳 ;

宋修曦 .

中国专利 :CN105862131B ,2016-08-17

[4]

一种金属表面镀制DLC薄膜的方法及其应用 [P].

祝闻 ;

郭金滔 ;

苏志军 ;

李文芳 ;

罗有斌 ;

易爱华 ;

廖忠淼 ;

李康 ;

陈肯 .

中国专利 :CN113403611A ,2021-09-17

[5]

一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法 [P].

顾书林 ;

杨凯 ;

刘松民 ;

朱顺明 ;

叶建东 ;

汤琨 .

中国专利 :CN118581569A ,2024-09-03

[6]

一种直立石墨化碳材料及其制备方法与电池应用 [P].

潘庆广 ;

刘贤春 ;

唐永炳 .

中国专利 :CN118771368A ,2024-10-15

[7]

一种MPCVD腔体及MPCVD装置 [P].

曹建伟 ;

朱亮 ;

倪军夫 ;

高宇 ;

张一卓 .

中国专利 :CN119824528A ,2025-04-15

[8]

一种大尺寸纳米金刚石薄膜及其制备方法和应用 [P].

唐莉娜 ;

毛晓宇 ;

赵国萍 ;

李佳男 ;

谢诚哲 ;

杨彬 ;

赵雪松 ;

李浩 ;

李志康 .

中国专利 :CN119082698A ,2024-12-06

[9]

一种用于单晶金刚石合成的装置系统 [P].

崔名扬 ;

任丽 ;

李宏利 ;

方海江 .

中国专利 :CN223292705U ,2025-09-02

[10]

一种金刚石自旋量子传感器及其制备方法 [P].

安红雨 ;

刘汇 ;

杨卉 ;

韩培刚 ;

何斌 ;

黄江涛 ;

张宗雁 .

中国专利 :CN120254714A ,2025-07-04

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