范德华间隙场效应晶体管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210358434.3
申请日
2022-04-06
公开(公告)号
CN114759086B
公开(公告)日
2025-07-15
发明(设计)人
罗鹏飞 段鑫沛 刘兴强 廖蕾 林均 洪若豪
申请人
湖南大学
申请人地址
410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
IPC主分类号
H10D64/68
IPC分类号
H01L21/28 H10D62/17
代理机构
北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807
代理人
李伟波
法律状态
授权
国省代码
湖南省 长沙市
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共 50 条
[1]
范德华间隙场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
罗鹏飞 ;
段鑫沛 ;
刘兴强 ;
廖蕾 ;
林均 ;
洪若豪 .
中国专利 :CN114759086A ,2022-07-15
[2]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
黄晓橹 .
中国专利 :CN104599968A ,2015-05-06
[3]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
卢年端 ;
李泠 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06
[4]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
颜丙杰 .
中国专利 :CN112864239A ,2021-05-28
[5]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
岳德武 ;
王新中 ;
刘新科 .
中国专利 :CN115360258A ,2022-11-18
[6]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
高剑琴 ;
周海锋 ;
谭俊 .
中国专利 :CN103872118A ,2014-06-18
[7]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26
[8]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
肖祥 ;
李伟 .
中国专利 :CN110323277B ,2021-01-29
[9]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
B·格罗特 ;
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
V·坎姆卡 ;
M·E·吉普森 .
中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02
[10]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02