聚合物半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510416823.0

申请日：

2025-04-03

公开(公告)号：

CN120282698A

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

高晨英李海旭

申请人：

京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H10K85/10

IPC分类号：

H10K71/12 H10K71/20

代理机构：

北京风雅颂专利代理有限公司 11403

代理人：

车英慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 85/10申请日:20250403
2025-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器 [P].

丁士进 ;

谭昊天 ;

吴小晗 ;

张卫 .

中国专利 :CN113429605B ,2021-09-24

[2]

一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用 [P].

周瑜 ;

汤庆鑫 ;

童艳红 .

中国专利 :CN110190188A ,2019-08-30

[3]

光催化聚合制备无机半导体/导电聚合物复合薄膜的方法 [P].

倪秀元 ;

翁臻 ;

王皎 ;

赖博杰 .

中国专利 :CN1807492A ,2006-07-26

[4]

半导体聚合物 [P].

德怀特·塞费罗斯 ;

布兰登·久基奇 ;

阿米特·捷夫齐亚 .

中国专利 :CN105073945A ,2015-11-18

[5]

半导体聚合物 [P].

于鲁平 ;

梁永业 ;

何峰 .

中国专利 :CN104169332A ,2014-11-26

[6]

半导体聚合物 [P].

N·布劳因 ;

W·米切尔 ;

M·卡拉斯克-奥拉斯克 ;

F·E·迈耶 ;

S·蒂尔奈 .

中国专利 :CN102985428A ,2013-03-20

[7]

半导体聚合物 [P].

Y·海克 ;

A·I·阿耶什 ;

M·A·穆赫辛 .

中国专利 :CN103380503A ,2013-10-30

[8]

半导体聚合物 [P].

J-C·弗洛里斯 ;

P·哈约兹 ;

I·麦卡洛克 ;

N·翁伍比克 ;

D·克尔布莱因 ;

岳晚 ;

陈宏扬 ;

A-C·克纳尔 .

中国专利 :CN108699073B ,2018-10-23

[9]

半导体聚合物 [P].

W·米切尔 ;

S·蒂尔尼 ;

王常胜 ;

N·布罗恩 .

中国专利 :CN102762545A ,2012-10-31

[10]

半导体聚合物 [P].

N·布劳因 ;

S·蒂尔奈 ;

W·米切尔 ;

M·卡拉斯克-奥拉斯克 ;

F·E·迈耶 .

中国专利 :CN103025788B ,2013-04-03

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