一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910433283.1

申请日：

2019-05-23

公开(公告)号：

CN110190188A

公开(公告)日：

2019-08-30

发明(设计)人：

周瑜汤庆鑫童艳红

申请人：

申请人地址：

130024 吉林省长春市人民大街5268号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5130 H01L5140 C08J518 C08L6500

代理机构：

吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100

代理人：

王薇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-30	公开	公开
2019-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20190523

共 50 条

[1]

聚合物半导体薄膜及其制备方法 [P].

高晨英 ;

李海旭 .

中国专利 :CN120282698A ,2025-07-08

[2]

一种N型聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

冯逸丰 ;

袁建宇 ;

李斌 ;

袁鑫 .

中国专利 :CN112480376B ,2021-03-12

[3]

一种聚合物半导体屏蔽材料、制备方法及半导体屏蔽层 [P].

王琰 ;

高阳 ;

孙重晓 ;

陈成志 ;

杨森 ;

王宁 .

中国专利 :CN119331341A ,2025-01-21

[4]

一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁鑫 ;

袁建宇 ;

冯逸丰 ;

张琪麟 ;

李斌 .

中国专利 :CN112266468B ,2021-01-26

[5]

一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁建宇 ;

马万里 .

中国专利 :CN105237749B ,2016-01-13

[6]

一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁建宇 ;

马万里 .

中国专利 :CN103467710A ,2013-12-25

[7]

一种梯度掺杂半导体聚合物薄膜及其制备方法与应用 [P].

李慧 ;

徐真 ;

陈立东 .

中国专利 :CN115020578A ,2022-09-06

[8]

聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器 [P].

丁士进 ;

谭昊天 ;

吴小晗 ;

张卫 .

中国专利 :CN113429605B ,2021-09-24

[9]

一种半导体共轭聚合物及其制备方法 [P].

张国兵 ;

郭景华 ;

张捷 ;

李朋 ;

吕国强 .

中国专利 :CN103626975B ,2014-03-12

[10]

一种光刻稳定的聚合物半导体材料及制备方法和应用 [P].

赵岩 ;

左晓婵 ;

莫晓亮 .

中国专利 :CN120699237A ,2025-09-26

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