オンチップのゲート抵抗を有する半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20240575105

申请日：

2023-06-14

公开(公告)号：

JP2025521538A

公开(公告)日：

2025-07-10

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/80

IPC分类号：

H10D30/83

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共 50 条

[1]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

NGUYEN SON VAN ;

YAMASHITA TENKO ;

CHENG KANGGUO ;

THOMAS JASPER HAIGH JR ;

PARK CHANRO ;

ERIC LINIGER ;

LI JUNTAO ;

SANJAY MEHTA .

日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26

[2]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03

[3]

半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30

[4]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

KIM WOONGSUN ;

DANIEL J LICHTENWALNER ;

RYU SEI-HYUNG ;

NAEEM ISLAM ;

THOMAS E HARRINGTON III .

日本专利 :JP2025078816A ,2025-05-20

[5]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023548037A ,2023-11-15

[6]

ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2024517079A ,2024-04-19

[7]

半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01

[8]

基板貫通ビアを有する半導体デバイスおよび基板貫通ビアを有する半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022511415A ,2022-01-31

[9]

光電子半導体デバイス、光電子半導体デバイスのアレイ、及び光電子半導体デバイスを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024526040A ,2024-07-17

[10]

半導体ボディを製造する方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023547246A ,2023-11-09

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