高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211550172.7

申请日：

2022-12-05

公开(公告)号：

CN116590695B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

胡晓君郑玉浩唐彬杰陈成克蒋梅燕李晓鲁少华

申请人：

浙江工业大学

申请人地址：

310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路18号

IPC主分类号：

C23C16/56

IPC分类号：

C30B33/02 C23C16/27 C30B29/60 C30B29/04

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;黄竞云

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

刘建军 ;

徐辉 ;

梅盈爽 ;

陈成克 ;

樊冬 .

中国专利 :CN108531883B ,2018-09-14

[2]

一种高迁移率的n型纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 .

中国专利 :CN103060767B ,2013-04-24

[3]

纳米金刚石片竖立组装的高迁移率n型薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

陈爱盛 ;

张志强 ;

蒋梅燕 ;

陈成克 ;

李晓 ;

鲁少华 .

中国专利 :CN116445885B ,2024-12-06

[4]

一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

陈成克 ;

徐辉 ;

刘建军 ;

梅盈爽 ;

樊冬 .

中国专利 :CN108660432B ,2018-10-16

[5]

一种高迁移率的n型纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 ;

陈成克 .

中国专利 :CN104911559A ,2015-09-16

[6]

金刚石物料用电导率仪 [P].

苏莎 .

中国专利 :CN211014464U ,2020-07-14

[7]

一种高迁移率的共掺杂金刚石及制备方法 [P].

任泽阳 ;

祝子辉 ;

张金风 ;

苏凯 ;

付裕 ;

张景豪 ;

宋松原 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119121157A ,2024-12-13

[8]

基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

刘胜 ;

张栋梁 ;

张召富 ;

东芳 ;

郭宇铮 ;

甘志银 ;

沈威 ;

吴改 .

中国专利 :CN120751725A ,2025-10-03

[9]

基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法 [P].

刘胜 ;

张栋梁 ;

郭宇铮 ;

唐飞翔 ;

刘修铭 ;

甘志文 ;

甘志银 .

中国专利 :CN120751726A ,2025-10-03

[10]

一种高迁移率TCO薄膜及其制备方法 [P].

方奕锟 ;

李粮任 ;

周子超 .

中国专利 :CN119571273A ,2025-03-07

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