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一种碳化硅功率器件的背面金属返工工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510376557.3
申请日
:
2025-03-28
公开(公告)号
:
CN120358786A
公开(公告)日
:
2025-07-22
发明(设计)人
:
吴书旋
邓转龙
李晓波
张霍
申请人
:
西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
申请人地址
:
030024 山西省太原市万柏林区和平南路115号
IPC主分类号
:
H10D64/01
IPC分类号
:
H10D64/62
H01L21/56
H01L23/31
代理机构
:
太原智慧管家知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14114
代理人
:
马俊平
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250328
2025-07-22
公开
公开
共 50 条
[1]
碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法
[P].
魏林程
论文数:
0
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0
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机构:
安徽芯塔电子科技有限公司
安徽芯塔电子科技有限公司
魏林程
;
倪炜江
论文数:
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机构:
安徽芯塔电子科技有限公司
安徽芯塔电子科技有限公司
倪炜江
;
郝志杰
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机构:
安徽芯塔电子科技有限公司
安徽芯塔电子科技有限公司
郝志杰
.
中国专利
:CN119364809A
,2025-01-24
[2]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件
[P].
连建伟
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
连建伟
;
林志东
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
林志东
.
中国专利
:CN118800798A
,2024-10-18
[3]
一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件
[P].
桑玲
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桑玲
;
田亮
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田亮
;
夏经华
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夏经华
;
查祎英
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查祎英
;
张文婷
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张文婷
;
田丽欣
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田丽欣
;
安运来
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安运来
;
朱涛
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朱涛
;
牛喜平
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牛喜平
;
罗松威
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罗松威
;
杨霏
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杨霏
;
吴军民
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吴军民
.
中国专利
:CN112002648A
,2020-11-27
[4]
一种碳化硅功率器件
[P].
朱磊
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
朱磊
;
罗曦溪
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
罗曦溪
;
陈刚
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
陈刚
;
万玉喜
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
.
中国专利
:CN121099672A
,2025-12-09
[5]
一种碳化硅功率器件
[P].
袁昊
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袁昊
;
王炫杰
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王炫杰
;
宋庆文
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宋庆文
;
汤晓燕
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汤晓燕
;
雷邑平
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雷邑平
;
张玉明
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张玉明
.
中国专利
:CN115440794A
,2022-12-06
[6]
一种碳化硅功率器件
[P].
杨国江
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杨国江
;
于世珩
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于世珩
;
胡佳贤
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胡佳贤
.
中国专利
:CN115312586A
,2022-11-08
[7]
一种碳化硅功率器件
[P].
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机构:
袁昊
;
王炫杰
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
王炫杰
;
论文数:
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机构:
宋庆文
;
论文数:
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机构:
汤晓燕
;
雷邑平
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
雷邑平
;
论文数:
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机构:
张玉明
.
中国专利
:CN115440794B
,2025-09-12
[8]
一种碳化硅功率器件
[P].
郑方伟
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0
郑方伟
.
中国专利
:CN218160384U
,2022-12-27
[9]
一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件
[P].
王聪勇
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王聪勇
;
杜伟华
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
杜伟华
;
高玉强
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
高玉强
;
李毕庆
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
李毕庆
;
江协龙
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
江协龙
.
中国专利
:CN223567989U
,2025-11-18
[10]
一种碳化硅功率器件的制备方法
[P].
李俊
论文数:
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机构:
杰平方半导体(上海)有限公司
杰平方半导体(上海)有限公司
李俊
.
中国专利
:CN120020999A
,2025-05-20
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