一种碳化硅功率器件的背面金属返工工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510376557.3
申请日
2025-03-28
公开(公告)号
CN120358786A
公开(公告)日
2025-07-22
发明(设计)人
吴书旋 邓转龙 李晓波 张霍
申请人
西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
申请人地址
030024 山西省太原市万柏林区和平南路115号
IPC主分类号
H10D64/01
IPC分类号
H10D64/62 H01L21/56 H01L23/31
代理机构
太原智慧管家知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14114
代理人
马俊平
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P]. 
魏林程 ;
倪炜江 ;
郝志杰 .
中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24
[2]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18
[3]
一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件 [P]. 
桑玲 ;
田亮 ;
夏经华 ;
查祎英 ;
张文婷 ;
田丽欣 ;
安运来 ;
朱涛 ;
牛喜平 ;
罗松威 ;
杨霏 ;
吴军民 .
中国专利 :CN112002648A ,2020-11-27
[4]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
朱磊 ;
罗曦溪 ;
陈刚 ;
万玉喜 .
中国专利 :CN121099672A ,2025-12-09
[5]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
袁昊 ;
王炫杰 ;
宋庆文 ;
汤晓燕 ;
雷邑平 ;
张玉明 .
中国专利 :CN115440794A ,2022-12-06
[6]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
杨国江 ;
于世珩 ;
胡佳贤 .
中国专利 :CN115312586A ,2022-11-08
[7]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
袁昊 ;
王炫杰 ;
宋庆文 ;
汤晓燕 ;
雷邑平 ;
张玉明 .
中国专利 :CN115440794B ,2025-09-12
[8]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
郑方伟 .
中国专利 :CN218160384U ,2022-12-27
[9]
一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件 [P]. 
王聪勇 ;
杜伟华 ;
高玉强 ;
李毕庆 ;
江协龙 .
中国专利 :CN223567989U ,2025-11-18
[10]
一种碳化硅功率器件的制备方法 [P]. 
李俊 .
中国专利 :CN120020999A ,2025-05-20