平面ヘテロ接合として設計された光活性層を有するオプトエレクトロニクス部品[ja]

被引：0

申请号：

JP20240576717

申请日：

2023-06-30

公开(公告)号：

JP2025522796A

公开(公告)日：

2025-07-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10K30/50

IPC分类号：

C07F5/02 H10K30/20 H10K50/11 H10K85/30 H10K85/60

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

オプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品[ja] [P].

日本专利 :JP2017527993A ,2017-09-21

[2]

オプトエレクトロニクス箔およびオプトエレクトロニクス箔の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020505736A ,2020-02-20

[3]

オプトエレクトロニクス半導体装置を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2018522405A ,2018-08-09

[4]

有機エレクトロニクスのためのヘテロアセン[ja] [P].

日本专利 :JP2017509615A ,2017-04-06

[5]

光カチオン重合性組成物及びそれを用いたオプトエレクトロニクス部品[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005123803A1 ,2008-04-10

[6]

複数の光活性材料を含むマルチカラーオプトエレクトロニック素子を作製するための方法およびこのようにして作製されるオプトエレクトロニック素子[ja] [P].

日本专利 :JP2020508583A ,2020-03-19

[7]

緩衝系を有するエレクトロクロミックデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025513410A ,2025-04-24

[8]

有機エレクトロニクス材料、有機層、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、表示素子、照明装置、及び表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018084009A1 ,2019-09-26

[9]

フォトニックデバイスを有するＣＭＯＳエレクトロニクスの垂直集積[ja] [P].

日本专利 :JP2015506590A ,2015-03-02

[10]

イオン性化合物、有機エレクトロニクス材料、有機層、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、表示素子、照明装置、及び有機エレクトロニクス素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7444170B2 ,2024-03-06

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