半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010809097.6

申请日：

2020-08-12

公开(公告)号：

CN112447827B

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

马丁·克里斯多福·霍兰德布莱戴恩·杜瑞兹马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔奥野泰利

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H10D62/13

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/62

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	授权	授权
2025-08-22	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 62/13申请日:20200812授权公告日:20250729原专利权期满终止日:20400812现专利权期满终止日:20410601

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

马丁·克里斯多福·霍兰德 ;

布莱戴恩·杜瑞兹 ;

马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ;

奥野泰利 .

中国专利 :CN112447827A ,2021-03-05

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

潘昇良 ;

陈泳字 ;

李中傑 ;

徐永昌 ;

洪嘉阳 ;

王柏荃 ;

陈冠亘 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN114864500A ,2022-08-05

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

郑志昌 ;

朱馥钰 ;

柳瑞兴 ;

雷明达 ;

黄士芬 .

中国专利 :CN109801968A ,2019-05-24

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

庄达人 ;

谢品秀 ;

孙志忠 .

中国专利 :CN112563275B ,2024-11-26

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN110120428A ,2019-08-13

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

黄仲麟 .

中国专利 :CN111162075A ,2020-05-15

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

郭进成 ;

郑斌宏 ;

洪正辉 .

中国专利 :CN102496570A ,2012-06-13

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

斋藤元章 ;

安达隆郎 .

中国专利 :CN107924869B ,2018-04-17

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

庄达人 ;

谢品秀 ;

孙志忠 .

中国专利 :CN112563275A ,2021-03-26

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 ;

田中康太郎 .

中国专利 :CN103180959B ,2013-06-26

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