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半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110086060.X
申请日：
2021-01-22
公开(公告)号：
CN114203552B
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
横山昇
佐藤和幸
申请人：
株式会社东芝
东芝电子元件及存储装置株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H01L21/66
H10D62/10
H10D30/66
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
刘英华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-25 | 授权 | 授权 |