碳化硅器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410120811.9

申请日：

2024-01-29

公开(公告)号：

CN120435042A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

王鹏飞范让萱

申请人：

苏州东微半导体股份有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/17 H10D30/66 H10D30/01

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

严慧

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	公开	公开
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240129

共 50 条

[1]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

范让萱 ;

刘磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN119153497A ,2024-12-17

[2]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN120475732A ,2025-08-12

[3]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN120475732B ,2025-10-28

[4]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

徐航 ;

杨雅芬 ;

钱哲弘 ;

崔文荣 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN118431293B ,2024-09-17

[5]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN118782646A ,2024-10-15

[6]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

M·K·达斯 ;

S·-H·瑞 .

中国专利 :CN100555663C ,2007-06-06

[7]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

陈伟钿 ;

周永昌 ;

张永杰 .

中国专利 :CN110718452B ,2025-04-08

[8]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

王鹏飞 ;

范让萱 ;

刘磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN119153498A ,2024-12-17

[9]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

陈伟钿 ;

周永昌 ;

张永杰 .

中国专利 :CN110718452A ,2020-01-21

[10]

碳化硅器件及其制造方法 [P].

吴健 ;

刘立安 .

中国专利 :CN120957469A ,2025-11-14

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