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碳化硅器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410562178.9
申请日：
2024-05-08
公开(公告)号：
CN120957469A
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
吴健 刘立安
申请人：
杰平方半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D62/83 H10D64/23 H10D30/01 H10D30/67
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
侯素芹
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240508
2025-11-14 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅器件 [P]. 
吴健 ;
刘立安 .
中国专利 :CN222638984U ,2025-03-18
[2]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
吴健 .
中国专利 :CN120475732A ,2025-08-12
[3]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
吴健 .
中国专利 :CN120475732B ,2025-10-28
[4]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
陈伟钿 ;
周永昌 ;
张永杰 .
中国专利 :CN110718452B ,2025-04-08
[5]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
陈伟钿 ;
周永昌 ;
张永杰 .
中国专利 :CN110718452A ,2020-01-21
[6]
碳化硅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
陈辉 .
中国专利 :CN113628973A ,2021-11-09
[7]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
王鹏飞 ;
范让萱 ;
刘磊 ;
缪进征 .
中国专利 :CN119153497A ,2024-12-17
[8]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
王鹏飞 ;
范让萱 .
中国专利 :CN120435042A ,2025-08-05
[9]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
徐航 ;
杨雅芬 ;
钱哲弘 ;
崔文荣 ;
孙清清 ;
张卫 .
中国专利 :CN118431293B ,2024-09-17
[10]
碳化硅器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
王鹏飞 .
中国专利 :CN118782646A ,2024-10-15
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