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碳化硅器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510954386.8
申请日：
2025-07-11
公开(公告)号：
CN120475732B
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
吴健
申请人：
杰平方半导体（上海）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢4层401室
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/63
H10D62/832
H10D64/27
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
王宏婧
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-08-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250711 |
| 2025-10-28 | 授权 | 授权 |
| 2025-08-12 | 公开 | 公开 |