晶片处理装置、晶片处理方法以及离子注入装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380086958.4

申请日：

2023-11-16

公开(公告)号：

CN120380570A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

工藤哲也

申请人：

住友重机械离子科技株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

H01J37/20

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘杰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/317申请日:20231116

共 50 条

[1]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

平井裕也 ;

赵维江 ;

大村俊辅 ;

中西昭仁 ;

佐藤琢己 .

日本专利 :CN119069327A ,2024-12-03

[2]

晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法 [P].

菅野诚一郎 ;

川原博宣 ;

末広满 ;

金井三郎 ;

增田俊夫 .

中国专利 :CN1240107C ,2003-09-03

[3]

晶片处理装置以及晶片的处理方法 [P].

铃木稔 .

中国专利 :CN104916567B ,2015-09-16

[4]

等离子处理装置以及晶片处理方法 [P].

小林浩之 ;

关口笃史 ;

臼井建人 ;

江藤宗一郎 ;

中元茂 ;

篠田和典 ;

三好信哉 .

中国专利 :CN113287190A ,2021-08-20

[5]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

石桥和久 ;

宫本恭宽 .

日本专利 :CN120380569A ,2025-07-25

[6]

离子注入装置及使用该装置的多片晶片的处理方法 [P].

工藤哲也 ;

戎真志 ;

藤井嘉人 .

中国专利 :CN106449339B ,2017-02-22

[7]

晶片处理装置及晶片处理方法 [P].

辻本正树 ;

吉冈孝久 ;

小林贤治 .

中国专利 :CN1943025A ,2007-04-04

[8]

晶片处理装置及晶片处理方法 [P].

郭佳衢 .

中国专利 :CN1815700A ,2006-08-09

[9]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

黑濑猛 ;

井门德安 ;

狩谷宏行 .

中国专利 :CN105023822B ,2015-11-04

[10]

晶片处理装置和晶片处理方法 [P].

李谦 .

中国专利 :CN102751392A ,2012-10-24

← 1 2 3 4 5 →