薄膜晶体管、像素结构及薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510529627.4

申请日：

2025-04-25

公开(公告)号：

CN120379342A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

江丞伟

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学园区

IPC主分类号：

H10D86/60

IPC分类号：

H10D86/40 H10D86/01 H10D30/67 H10K59/12 H10H29/30

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王锐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/60申请日:20250425

共 50 条

[1]

薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管以及像素结构 [P].

刘博智 ;

方俊雄 ;

何明彻 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929100A ,2007-03-14

[2]

薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构 [P].

吴皇君 ;

曾贤楷 .

中国专利 :CN101944487B ,2011-01-12

[3]

薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

岸田悠治 ;

川岛孝启 ;

钟之江有宣 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN102959712A ,2013-03-06

[4]

薄膜晶体管及该薄膜晶体管的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

加藤绘里香 ;

铃木邦彦 .

中国专利 :CN101834140A ,2010-09-15

[5]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

王治 ;

袁广才 ;

关峰 ;

许晨 ;

王学勇 ;

杜建华 ;

李超 ;

陈蕾 .

中国专利 :CN110972508B ,2020-04-07

[6]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[7]

薄膜晶体管 [P].

宫入秀和 .

中国专利 :CN101847662B ,2010-09-29

[8]

薄膜晶体管 [P].

张源 .

中国专利 :CN109935627A ,2019-06-25

[9]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李殷国 ;

金度贤 ;

郑敞午 ;

李制勋 ;

林淳权 .

中国专利 :CN101226901A ,2008-07-23

[10]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法 [P].

李一帆 ;

锺享显 .

中国专利 :CN102569416A ,2012-07-11

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