碳化硅晶片的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111210832.2

申请日：

2021-10-18

公开(公告)号：

CN114388347B

公开(公告)日：

2025-08-12

发明(设计)人：

蔡子萱施英汝杨咏皓吴伟立

申请人：

环球晶圆股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/22

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

宋兴;臧建明

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶片的抛光方法 [P].

蔡子萱 ;

施英汝 ;

杨咏皓 ;

吴伟立 .

中国专利 :CN114388347A ,2022-04-22

[2]

碳化硅晶片抛光设备 [P].

张学良 ;

袁巨龙 ;

邓乾发 ;

杭伟 ;

王佳焕 .

中国专利 :CN115502870A ,2022-12-23

[3]

碳化硅晶片抛光设备 [P].

张学良 ;

袁巨龙 ;

邓乾发 ;

杭伟 ;

王佳焕 .

中国专利 :CN115502870B ,2025-04-29

[4]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[5]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[6]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[7]

碳化硅晶片及其加工方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN112809458B ,2021-05-18

[8]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[9]

一种碳化硅晶片的抛光液 [P].

詹琳 .

中国专利 :CN105647393A ,2016-06-08

[10]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

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