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一种半导体器件的制造方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510450593.X
申请日：
2025-04-10
公开(公告)号：
CN120527294A
公开(公告)日：
2025-08-22
发明(设计)人：
曹开玮
申请人：
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H10D84/01
H10D84/85
代理机构：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人：
黎坚怡
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250410 |
| 2025-08-22 | 公开 | 公开 |