酸化物半導体膜の成膜方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230505599

申请日：

2022-03-09

公开(公告)号：

JP7719165B2

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

H01L21/365 H01L21/368 H10D8/01 H10D8/60

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共 50 条

[1]

酸化物半導体膜の成膜方法[ja] [P].

日本专利 :JP6568353B2 ,2019-08-28

[2]

酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置[ja] [P].

日本专利 :JP7216371B2 ,2023-02-01

[3]

酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置[ja] [P].

日本专利 :JP7212890B2 ,2023-01-26

[4]

酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

TSUBUKI MASASHI ;

AKIMOTO KENGO ;

OHARA HIROKI ;

HONDA TATSUYA ;

KOMATA TAKASHI ;

NONAKA YUSUKE ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

MIYANAGA SHOJI .

日本专利 :JP2025072563A ,2025-05-09

[5]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP6420968B2 ,2018-11-07

[6]

酸化物半導体膜[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

SAKAKURA MASAYUKI ;

MIYANAGA SHOJI ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

HIROHASHI TAKUYA ;

SHIMAZU TAKASHI .

日本专利 :JP2025107465A ,2025-07-17

[7]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP5882283B2 ,2016-03-09

[8]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP5689490B2 ,2015-03-25

[9]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP6486712B2 ,2019-03-20

[10]

酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP6356203B2 ,2018-07-11

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