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酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置[ja]

被引：0
申请号：
JP20190105364
申请日：
2019-06-05
公开(公告)号：
JP7212890B2
公开(公告)日：
2023-01-26
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/365
IPC分类号：
C23C16/40 H01L21/368
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7216371B2 ,2023-02-01
[2]
酸化物半導体膜の成膜方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6568353B2 ,2019-08-28
[3]
酸化物半導体膜の成膜方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7719165B2 ,2025-08-05
[4]
成膜装置、成膜方法及び金属酸化物薄膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6230184B2 ,2017-11-15
[5]
金属酸化膜の成膜装置、金属酸化膜の成膜方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5614558B2 ,2014-10-29
[6]
成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7075525B2 ,2022-05-25
[7]
酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
YAMAZAKI SHUNPEI ;
TSUBUKI MASASHI ;
AKIMOTO KENGO ;
OHARA HIROKI ;
HONDA TATSUYA ;
KOMATA TAKASHI ;
NONAKA YUSUKE ;
TAKAHASHI MASAHIRO ;
MIYANAGA SHOJI .
日本专利 :JP2025072563A ,2025-05-09
[8]
金属酸化膜の成膜方法、金属酸化膜および金属酸化膜の成膜装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010122629A1 ,2012-10-22
[9]
金属酸化膜の成膜方法、金属酸化膜および金属酸化膜の成膜装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5652768B2 ,2015-01-14
[10]
金属酸化膜の成膜方法、金属酸化膜および金属酸化膜の成膜装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011027425A1 ,2013-01-31
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