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半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111385011.2
申请日：
2021-11-22
公开(公告)号：
CN114566536B
公开(公告)日：
2025-08-15
发明(设计)人：
吉田拓弥 铃木健司 原口友树
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H01L21/762 H10D84/80 H10D8/00 H10D12/00
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
何立波;张天舒
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-15 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
吉田拓弥 ;
铃木健司 ;
原口友树 .
中国专利 :CN114566536A ,2022-05-31
[2]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
上村和贵 ;
洼内源宜 .
中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17
[3]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
加藤树理 .
中国专利 :CN1979879A ,2007-06-13
[4]
半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P]. 
竹中充 ;
高木信一 ;
秦雅彦 ;
市川磨 .
中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26
[5]
半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
小松大辉 .
日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17
[6]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
泽田达郎 .
中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02
[7]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
原田健司 .
日本专利 :CN119069518A ,2024-12-03
[8]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
添野明高 .
中国专利 :CN106575668A ,2017-04-19
[9]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
泽田达郎 .
中国专利 :CN113614924A ,2021-11-05
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小川惠理 ;
吉村尚 .
中国专利 :CN105814693B ,2016-07-27
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