带保护膜的半导体芯片的剥离方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202180010299.7
申请日
2021-01-20
公开(公告)号
CN115023801B
公开(公告)日
2025-08-29
发明(设计)人
根本拓 田村樱子 古野健太 古贺遥
申请人
琳得科株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21/683
IPC分类号
H01L21/60 H01L21/67 H01L21/301
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
王利波
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
带保护膜的半导体芯片的剥离方法 [P]. 
根本拓 ;
田村樱子 ;
古野健太 ;
古贺遥 .
中国专利 :CN115023801A ,2022-09-06
[2]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
渡边康贵 ;
上村和惠 .
日本专利 :CN118696398A ,2024-09-24
[3]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118648089A ,2024-09-13
[4]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
上村和惠 ;
渡边康贵 .
日本专利 :CN118696399A ,2024-09-24
[5]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
稻男洋一 ;
佐藤明德 .
中国专利 :CN109287125A ,2019-01-29
[6]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
稻男洋一 ;
佐藤明德 .
中国专利 :CN109075046A ,2018-12-21
[7]
保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
稻男洋一 ;
米山裕之 .
中国专利 :CN109075047A ,2018-12-21
[8]
保护膜形成用膜及带保护膜的半导体芯片的制造方法 [P]. 
高野健 ;
佐伯尚哉 .
中国专利 :CN106030763B ,2016-10-12
[9]
半导体用保护膜、半导体装置及复合片 [P]. 
冈本直也 ;
池田亮平 ;
堀米克彦 .
中国专利 :CN107636825A ,2018-01-26
[10]
带剥离膜的表面保护膜 [P]. 
新见洋人 ;
宫坂洋之 ;
五十岚智美 .
中国专利 :CN118725756A ,2024-10-01