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带保护膜的半导体芯片的剥离方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202180010299.7
申请日
:
2021-01-20
公开(公告)号
:
CN115023801B
公开(公告)日
:
2025-08-29
发明(设计)人
:
根本拓
田村樱子
古野健太
古贺遥
申请人
:
琳得科株式会社
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L21/683
IPC分类号
:
H01L21/60
H01L21/67
H01L21/301
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王利波
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-29
授权
授权
共 50 条
[1]
带保护膜的半导体芯片的剥离方法
[P].
根本拓
论文数:
0
引用数:
0
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0
根本拓
;
田村樱子
论文数:
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田村樱子
;
古野健太
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古野健太
;
古贺遥
论文数:
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古贺遥
.
中国专利
:CN115023801A
,2022-09-06
[2]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
渡边康贵
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
;
上村和惠
论文数:
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
.
日本专利
:CN118696398A
,2024-09-24
[3]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
上村和惠
论文数:
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
;
渡边康贵
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
.
日本专利
:CN118648089A
,2024-09-13
[4]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
上村和惠
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
;
渡边康贵
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机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
.
日本专利
:CN118696399A
,2024-09-24
[5]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
[P].
稻男洋一
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稻男洋一
;
佐藤明德
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佐藤明德
.
中国专利
:CN109287125A
,2019-01-29
[6]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
[P].
稻男洋一
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稻男洋一
;
佐藤明德
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佐藤明德
.
中国专利
:CN109075046A
,2018-12-21
[7]
保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及半导体装置的制造方法
[P].
小桥力也
论文数:
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小桥力也
;
稻男洋一
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稻男洋一
;
米山裕之
论文数:
0
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米山裕之
.
中国专利
:CN109075047A
,2018-12-21
[8]
保护膜形成用膜及带保护膜的半导体芯片的制造方法
[P].
高野健
论文数:
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高野健
;
佐伯尚哉
论文数:
0
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佐伯尚哉
.
中国专利
:CN106030763B
,2016-10-12
[9]
半导体用保护膜、半导体装置及复合片
[P].
冈本直也
论文数:
0
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冈本直也
;
池田亮平
论文数:
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池田亮平
;
堀米克彦
论文数:
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堀米克彦
.
中国专利
:CN107636825A
,2018-01-26
[10]
带剥离膜的表面保护膜
[P].
新见洋人
论文数:
0
引用数:
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机构:
藤森工业株式会社
藤森工业株式会社
新见洋人
;
宫坂洋之
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机构:
藤森工业株式会社
藤森工业株式会社
宫坂洋之
;
五十岚智美
论文数:
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机构:
藤森工业株式会社
藤森工业株式会社
五十岚智美
.
中国专利
:CN118725756A
,2024-10-01
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