带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201780025391.4
申请日
2017-04-25
公开(公告)号
CN109075046A
公开(公告)日
2018-12-21
发明(设计)人
稻男洋一 佐藤明德
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21301
IPC分类号
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
张晶;谢顺星
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
稻男洋一 ;
佐藤明德 .
中国专利 :CN109287125A ,2019-01-29
[2]
保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
稻男洋一 ;
米山裕之 .
中国专利 :CN109075047A ,2018-12-21
[3]
半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P]. 
浅野佑策 ;
樋口和人 ;
富冈泰造 ;
井口知洋 .
中国专利 :CN104637877A ,2015-05-20
[4]
半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P]. 
谷田一真 ;
根本义彦 ;
田中直敬 .
中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01
[5]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郎 .
中国专利 :CN114830301A ,2022-07-29
[6]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郎 .
日本专利 :CN114830301B ,2025-04-01
[7]
半导体芯片制造用保护膜形成用组合物、半导体基板、半导体芯片及半导体芯片的制造方法 [P]. 
上林哲 ;
森谷俊介 ;
岸冈高广 .
日本专利 :CN120677554A ,2025-09-19
[8]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
武笠真之介 ;
伊藤滉大 .
日本专利 :CN120981917A ,2025-11-18
[9]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
武笠真之介 ;
伊藤滉大 .
日本专利 :CN121127964A ,2025-12-12
[10]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
伊藤滉大 .
日本专利 :CN119343763A ,2025-01-21