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带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201780025391.4
申请日
:
2017-04-25
公开(公告)号
:
CN109075046A
公开(公告)日
:
2018-12-21
发明(设计)人
:
稻男洋一
佐藤明德
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L21301
IPC分类号
:
代理机构
:
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
:
张晶;谢顺星
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-12-21
公开
公开
2019-01-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20170425
共 50 条
[1]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
[P].
稻男洋一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
稻男洋一
;
佐藤明德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
佐藤明德
.
中国专利
:CN109287125A
,2019-01-29
[2]
保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及半导体装置的制造方法
[P].
小桥力也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
小桥力也
;
稻男洋一
论文数:
0
引用数:
0
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0
稻男洋一
;
米山裕之
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
米山裕之
.
中国专利
:CN109075047A
,2018-12-21
[3]
半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置
[P].
浅野佑策
论文数:
0
引用数:
0
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0
浅野佑策
;
樋口和人
论文数:
0
引用数:
0
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0
樋口和人
;
富冈泰造
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
富冈泰造
;
井口知洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
井口知洋
.
中国专利
:CN104637877A
,2015-05-20
[4]
半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置
[P].
谷田一真
论文数:
0
引用数:
0
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0
谷田一真
;
根本义彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
根本义彦
;
田中直敬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中直敬
.
中国专利
:CN1551312A
,2004-12-01
[5]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
木下哲郎
.
中国专利
:CN114830301A
,2022-07-29
[6]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
木下哲郎
.
日本专利
:CN114830301B
,2025-04-01
[7]
半导体芯片制造用保护膜形成用组合物、半导体基板、半导体芯片及半导体芯片的制造方法
[P].
上林哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日产化学株式会社
日产化学株式会社
上林哲
;
森谷俊介
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
日产化学株式会社
日产化学株式会社
森谷俊介
;
岸冈高广
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日产化学株式会社
日产化学株式会社
岸冈高广
.
日本专利
:CN120677554A
,2025-09-19
[8]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
武笠真之介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
武笠真之介
;
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN120981917A
,2025-11-18
[9]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
武笠真之介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
武笠真之介
;
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN121127964A
,2025-12-12
[10]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN119343763A
,2025-01-21
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