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保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
被引:0
申请号
:
CN202080087446.6
申请日
:
2020-11-26
公开(公告)号
:
CN114830301A
公开(公告)日
:
2022-07-29
发明(设计)人
:
木下哲郎
申请人
:
申请人地址
:
日本国神奈川县
IPC主分类号
:
H01L21301
IPC分类号
:
代理机构
:
上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291
代理人
:
毛立群
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-11-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20201126
2022-07-29
公开
公开
共 50 条
[1]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
木下哲郎
.
日本专利
:CN114830301B
,2025-04-01
[2]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
木下哲郎
.
中国专利
:CN112300637A
,2021-02-02
[3]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
木下哲郎
.
日本专利
:CN112300637B
,2024-03-15
[4]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法
[P].
真庭瞳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
真庭瞳
;
木下哲郞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
木下哲郞
.
日本专利
:CN119604965A
,2025-03-11
[5]
半导体芯片的制造方法及保护膜形成剂
[P].
后藤龙生
论文数:
0
引用数:
0
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0
后藤龙生
;
木下哲郞
论文数:
0
引用数:
0
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0
木下哲郞
;
大久保明日香
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大久保明日香
.
中国专利
:CN114944328A
,2022-08-26
[6]
保护膜形成剂、保护膜、保护膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法
[P].
真庭瞳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
真庭瞳
;
木下哲郎
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
木下哲郎
.
日本专利
:CN120202530A
,2025-06-24
[7]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
[P].
小桥力也
论文数:
0
引用数:
0
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0
小桥力也
;
稻男洋一
论文数:
0
引用数:
0
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0
稻男洋一
.
中国专利
:CN111279468A
,2020-06-12
[8]
等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
[P].
木下哲郞
论文数:
0
引用数:
0
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0
木下哲郞
;
植松照博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
植松照博
.
中国专利
:CN113039628A
,2021-06-25
[9]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置
[P].
渡边康贵
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
渡边康贵
;
上村和惠
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
琳得科株式会社
琳得科株式会社
上村和惠
.
日本专利
:CN118696398A
,2024-09-24
[10]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
[P].
稻男洋一
论文数:
0
引用数:
0
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稻男洋一
;
佐藤明德
论文数:
0
引用数:
0
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0
佐藤明德
.
中国专利
:CN109287125A
,2019-01-29
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