保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202080087446.6
申请日
2020-11-26
公开(公告)号
CN114830301B
公开(公告)日
2025-04-01
发明(设计)人
木下哲郎
申请人
东京应化工业株式会社
申请人地址
日本国神奈川县
IPC主分类号
H01L21/301
IPC分类号
代理机构
上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291
代理人
毛立群
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郎 .
中国专利 :CN114830301A ,2022-07-29
[2]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郎 .
中国专利 :CN112300637A ,2021-02-02
[3]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郎 .
日本专利 :CN112300637B ,2024-03-15
[4]
保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法 [P]. 
真庭瞳 ;
木下哲郞 .
日本专利 :CN119604965A ,2025-03-11
[5]
半导体芯片的制造方法及保护膜形成剂 [P]. 
后藤龙生 ;
木下哲郞 ;
大久保明日香 .
中国专利 :CN114944328A ,2022-08-26
[6]
保护膜形成剂、保护膜、保护膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法 [P]. 
真庭瞳 ;
木下哲郎 .
日本专利 :CN120202530A ,2025-06-24
[7]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 [P]. 
小桥力也 ;
稻男洋一 .
中国专利 :CN111279468A ,2020-06-12
[8]
等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法 [P]. 
木下哲郞 ;
植松照博 .
中国专利 :CN113039628A ,2021-06-25
[9]
保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、带保护膜的半导体芯片及半导体装置 [P]. 
渡边康贵 ;
上村和惠 .
日本专利 :CN118696398A ,2024-09-24
[10]
带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
稻男洋一 ;
佐藤明德 .
中国专利 :CN109287125A ,2019-01-29