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等离子体切割用保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980075516.3
申请日：
2019-09-12
公开(公告)号：
CN113039628A
公开(公告)日：
2021-06-25
发明(设计)人：
木下哲郞
植松照博
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L21301
IPC分类号：
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
杨宏军;唐峥
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20190912 |
| 2021-06-25 | 公开 | 公开 |