一种金刚石上薄层器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211630556.X

申请日：

2022-12-19

公开(公告)号：

CN115831746B

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

王琦王新强梁智文张国义

申请人：

北京大学东莞光电研究院

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H01L21/265 H01L23/373 H01L21/683

代理机构：

东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412

代理人：

姚伟旗

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	授权	授权

共 50 条

[1]

金刚石器件及其制备方法 [P].

郭建超 ;

蔚翠 ;

冯志红 ;

房玉龙 ;

何泽召 ;

王晶晶 ;

刘庆彬 ;

周闯杰 ;

高学栋 .

中国专利 :CN109273354B ,2019-01-25

[2]

一种金刚石制备装置及其金刚石制备方法 [P].

康海霞 ;

凌勋利 ;

李珂 ;

朱梅 ;

鞠丰阳 ;

李森兰 .

中国专利 :CN115140732A ,2022-10-04

[3]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126B ,2024-12-31

[4]

一种金刚石半导体器件的制备方法及金刚石半导体器件 [P].

吴国光 ;

王增将 ;

任檬檬 ;

王孝秋 ;

张宝林 .

中国专利 :CN118156126A ,2024-06-07

[5]

一种金刚石复合衬底氮化镓器件的制备方法及其器件 [P].

任泽阳 ;

梁振芳 ;

张金风 ;

苏凯 ;

邢宇菲 ;

杨士奇 ;

许晟瑞 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112614880A ,2021-04-06

[6]

一种金刚石SGT器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118335778A ,2024-07-12

[7]

一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法 [P].

任泽阳 ;

张金风 ;

吕丹丹 ;

张进成 ;

苏凯 ;

张雅超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110164766A ,2019-08-23

[8]

一种金刚石衬底GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

陈堂胜 ;

吴立枢 ;

孔月婵 .

中国专利 :CN121038311A ,2025-11-28

[9]

金刚石基板、金刚石负载及其制备方法 [P].

张晶 ;

王陶 ;

苏琴 ;

罗显靖 ;

胡向阳 ;

肖雅南 .

中国专利 :CN119542124A ,2025-02-28

[10]

金刚石制备方法 [P].

王镇 ;

金鹏 ;

屈鹏霏 ;

王占国 .

中国专利 :CN117594154A ,2024-02-23

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