一种采用二阶温度补偿的带隙基准电压源及其工作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310753569.4

申请日：

2023-06-25

公开(公告)号：

CN116679789B

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

杨淼周俊豪

申请人：

无锡鸿恩泰科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区震泽路18号无锡软件园巨蟹座A栋406室

IPC主分类号：

G05F1/567

IPC分类号：

代理机构：

南京智造力知识产权代理有限公司 32382

代理人：

汪丽红;徐波

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

采用二阶温度补偿能隙基准电压的电压源 [P].

刘家洲 .

中国专利 :CN2588431Y ,2003-11-26

[2]

采用二阶温度补偿能隙基准电压的电压源及其方法 [P].

刘家洲 .

中国专利 :CN1508643A ,2004-06-30

[3]

一种指数型温度补偿带隙基准电压源及其补偿方法 [P].

王镇 ;

杨淼 ;

丁凡 .

中国专利 :CN115586809A ,2023-01-10

[4]

高阶温度补偿带隙基准电压源 [P].

奚冬杰 ;

李现坤 ;

李健 .

中国专利 :CN106647916A ,2017-05-10

[5]

三阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

刘帘曦 ;

黄文斌 ;

沐俊超 ;

张怡 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN107300942A ,2017-10-27

[6]

一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源 [P].

何乐年 ;

宁志华 ;

付大伟 ;

王煊 ;

徐碧野 ;

陈帅 ;

陆燕锋 ;

佀鸿伟 .

中国专利 :CN101825912B ,2010-09-08

[7]

用于带隙基准电路的二阶温度补偿电路及带隙基准电路 [P].

张林 .

中国专利 :CN117826928A ,2024-04-05

[8]

一种二阶补偿基准电压源 [P].

于圣武 ;

张洪俞 ;

李宇 .

中国专利 :CN111596717B ,2020-08-28

[9]

高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源 [P].

白涛 ;

张瑾 ;

龙善丽 ;

吕江平 ;

武凤芹 ;

张紫乾 .

中国专利 :CN102393786B ,2012-03-28

[10]

一种带隙基准电压源 [P].

王利丹 ;

詹陈长 ;

汤俊尧 .

中国专利 :CN108153360B ,2018-06-12

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