MOCVD反应腔的压力控制系统及MOCVD外延设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510695302.3

申请日：

2025-05-27

公开(公告)号：

CN120666310A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

王涛王永郭军强陈军

申请人：

一塔半导体（安徽）有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区云二路176号珠江路科技园B栋一层南侧103室

IPC主分类号：

C23C16/18

IPC分类号：

C23C16/52

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

佟震阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/18申请日:20250527
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

反应腔室的压力控制系统及压力控制方法 [P].

孙朋涛 ;

耿丹 ;

桂晓波 ;

郑建宇 ;

李补忠 .

中国专利 :CN110538620B ,2019-12-06

[2]

一种MOCVD反应室压力控制系统及压力控制方法 [P].

黎大兵 ;

张山丽 ;

孙晓娟 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

陈洋 .

中国专利 :CN115341275B ,2024-02-09

[3]

一种MOCVD反应室压力控制系统及压力控制方法 [P].

黎大兵 ;

张山丽 ;

孙晓娟 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

陈洋 .

中国专利 :CN115341275A ,2022-11-15

[4]

调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统 [P].

陆俊 ;

徐涛 ;

蔡金 ;

宋景峰 ;

彭庆 .

中国专利 :CN106086810A ,2016-11-09

[5]

外延设备（MOCVD设备) [P].

甘志银 ;

胡少林 ;

陈倩翌 ;

严晗 ;

王亮 .

中国专利 :CN301734655S ,2011-11-23

[6]

MOCVD外延设备的承载环、晶片承载装置及MOCVD外延设备 [P].

王涛 ;

夏杨建 ;

陈军 ;

施清行 .

中国专利 :CN120231011A ,2025-07-01

[7]

反应腔室的压力控制系统及压力控制方法 [P].

董金卫 .

中国专利 :CN107068587A ,2017-08-18

[8]

一种反应腔及MOCVD系统 [P].

张新勇 .

中国专利 :CN208440697U ,2019-01-29

[9]

MOCVD设备的互锁控制方法及系统 [P].

高建强 .

中国专利 :CN104073784B ,2014-10-01

[10]

反应腔压力自平衡控制系统 [P].

吴德轶 .

中国专利 :CN201608194U ,2010-10-13

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