一种磷化铟晶体制备退火设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510595256.X

申请日：

2025-05-09

公开(公告)号：

CN120666443A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

顾正伟晏善成陆小虎刘鑫

申请人：

中砥半导体技术（江苏）有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市锡山区安镇街道兴越路268

IPC主分类号：

C30B33/02

IPC分类号：

C30B29/40

代理机构：

无锡亿联盛知识产权代理有限公司 32625

代理人：

刘潇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 33/02申请日:20250509
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磷化铟晶体制备用退火装置 [P].

卢鹏荐 ;

曾小龙 ;

张林 ;

袁珊珊 .

中国专利 :CN118727151A ,2024-10-01

[2]

一种用于磷化铟晶体制备装置的退火机构 [P].

潘功寰 .

中国专利 :CN113638052A ,2021-11-12

[3]

一种磷化铟晶体生长设备 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213172683U ,2021-05-11

[4]

一种用于磷化铟晶体的制备装置 [P].

潘功寰 .

中国专利 :CN113699593A ,2021-11-26

[5]

一种磷化铟晶片退火装置 [P].

房现阁 ;

柯尊斌 ;

王卿伟 ;

郭友林 .

中国专利 :CN212648204U ,2021-03-02

[6]

一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法 [P].

孙聂枫 ;

王书杰 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

徐森锋 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN110760932A ,2020-02-07

[7]

一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统 [P].

孙聂枫 ;

王书杰 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

徐森锋 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN110760931A ,2020-02-07

[8]

一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统 [P].

孙聂枫 ;

卜爱民 ;

王书杰 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

徐森锋 ;

欧欣 ;

宋瑞良 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN110760931B ,2024-03-19

[9]

一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统 [P].

孙聂枫 ;

王书杰 ;

史艳磊 ;

邵会民 ;

付莉杰 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

徐森锋 ;

刘惠生 ;

孙同年 .

中国专利 :CN211112317U ,2020-07-28

[10]

一种磷化铟合成与VGF晶体制备的装置及方法 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

史艳磊 ;

刘峥 ;

邵会民 ;

党冀萍 ;

徐森锋 ;

姜剑 ;

李晓岚 ;

王阳 ;

张晓丹 ;

刘惠生 .

中国专利 :CN115198369B ,2024-06-11

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