一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510763297.5

申请日：

2025-06-09

公开(公告)号：

CN120758842A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

魏俊俊刘宇伦韩啸松尹育航周浩钧胡辉旺李成明

申请人：

北京科技大学广东奔朗新材料股份有限公司北京科技大学顺德创新学院

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/02 C23C14/34 C23C14/06 C23C14/58

代理机构：

北京市广友专利事务所有限责任公司 11237

代理人：

王睿;张仲波

法律状态：

公开

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20250609

共 50 条

[1]

一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法 [P].

魏俊俊 ;

王越 ;

乔冠中 ;

尹育航 ;

周浩钧 ;

陶洪亮 ;

郑宇亭 ;

李成明 .

中国专利 :CN115323318A ,2022-11-11

[2]

一种金刚石基薄膜电阻器元件的制造方法 [P].

魏俊俊 ;

李成明 ;

陈良贤 ;

刘金龙 ;

高旭辉 .

中国专利 :CN110233016A ,2019-09-13

[3]

一种金刚石基氮化镓复合衬底的制备方法 [P].

郑宇亭 ;

李成明 ;

刘思彤 ;

张钦睿 ;

魏俊俊 ;

刘金龙 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN112981535B ,2021-06-18

[4]

金刚石基氮化镓器件制造方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 ;

何伟 .

中国专利 :CN108847392A ,2018-11-20

[5]

金刚石基氮化镓器件制造方法 [P].

倪贤锋 ;

范谦 ;

何伟 .

中国专利 :CN108598036A ,2018-09-28

[6]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[7]

一种金刚石基GaN器件制备方法和金刚石基GaN器件 [P].

董鹏 ;

廖梦雅 ;

马磊 ;

杨云畅 ;

徐浩 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 .

中国专利 :CN119446900A ,2025-02-14

[8]

一种改善氮化钽薄膜均匀性的制备工艺 [P].

崔鸽 ;

徐健 ;

孙世刚 .

中国专利 :CN114481016A ,2022-05-13

[9]

一种金刚石基欧姆接触结构 [P].

张鹏飞 ;

陈伟东 ;

张少鹏 ;

王宏兴 .

中国专利 :CN212461601U ,2021-02-02

[10]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

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