一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法

被引：0

申请号：

CN202210794042.1

申请日：

2022-07-07

公开(公告)号：

CN115323318A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

魏俊俊王越乔冠中尹育航周浩钧陶洪亮郑宇亭李成明

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

C23C1402

IPC分类号：

C23C1406 C23C1435 C23C1458

代理机构：

北京市广友专利事务所有限责任公司 11237

代理人：

张仲波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	公开	公开
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/02 申请日:20220707

共 50 条

[1]

一种采用脉冲激光制备高附着力金刚石涂层的方法 [P].

周建忠 ;

谢小江 ;

黄舒 ;

陈寒松 ;

杨晶 .

中国专利 :CN102352512B ,2012-02-15

[2]

一种提高硬质合金刀具表面金刚石涂层附着力的方法 [P].

陈希章 ;

于杰 .

中国专利 :CN104294272A ,2015-01-21

[3]

一种能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置 [P].

田守文 .

中国专利 :CN206635399U ,2017-11-14

[4]

一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法 [P].

魏俊俊 ;

刘宇伦 ;

韩啸松 ;

尹育航 ;

周浩钧 ;

胡辉旺 ;

李成明 .

中国专利 :CN120758842A ,2025-10-10

[5]

一种金刚石基薄膜电阻器元件的制造方法 [P].

魏俊俊 ;

李成明 ;

陈良贤 ;

刘金龙 ;

高旭辉 .

中国专利 :CN110233016A ,2019-09-13

[6]

一种高附着类金刚石薄膜镀膜方法 [P].

金烈 ;

佘自力 .

中国专利 :CN119553225A ,2025-03-04

[7]

一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法 [P].

龚丽 ;

刘云珍 .

中国专利 :CN106756799B ,2017-05-31

[8]

金刚石薄膜的制造方法及金刚石薄膜制造装置 [P].

安藤瞭汰 ;

长町学 ;

辰巳夏生 .

日本专利 :CN120858197A ,2025-10-28

[9]

制备金刚石和类金刚石薄膜的方法 [P].

马志斌 ;

汪建华 .

中国专利 :CN1410590A ,2003-04-16

[10]

提高硅藻泥附着力的方法 [P].

谢绪金 .

中国专利 :CN107177218A ,2017-09-19

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