一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510881715.0

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120888889A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

夏洋薛翔宇明帅强屈芙蓉何萌赵丽莉吴非夏天

申请人：

北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司中国科学院微电子研究所

申请人地址：

102600 北京市大兴区北京经济技术开发区核心区34M3地块

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/56 C23C16/50

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

刘亮

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20250627

共 50 条

[1]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

[2]

一种强化氮化钽薄膜的方法 [P].

蔡旻錞 .

中国专利 :CN120015609A ,2025-05-16

[3]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[4]

一种氮化钽薄膜及其制备方法 [P].

闫广平 .

中国专利 :CN114150281B ,2022-03-08

[5]

氮化钽薄膜的制备方法及半导体器件 [P].

陈凯 ;

王珺楠 ;

杨清汝 .

中国专利 :CN119979169A ,2025-05-13

[6]

一种氧氮化钽单晶薄膜及其制备方法 [P].

宁楚怡 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

王新伟 ;

彭邵勤 ;

张婷婷 ;

张娇 ;

苏冠华 ;

刘剑 .

中国专利 :CN120230989A ,2025-07-01

[7]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[8]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[9]

氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

马飞 ;

莫炯炯 ;

蔡全福 ;

魏婷婷 .

中国专利 :CN112562946A ,2021-03-26

[10]

氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法 [P].

刘剑林 ;

严勇 ;

罗向阳 ;

朱沙 ;

杨舰 ;

张弦 ;

史天柯 ;

刘金鑫 ;

李吉云 ;

韩玉成 .

中国专利 :CN102800448B ,2012-11-28

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