一种氮化钽薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410587578.5

申请日：

2024-05-13

公开(公告)号：

CN118222973A

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

茆同海侯汉成刘坤明宋嘉铭

申请人：

华通芯电（南昌）电子科技有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道389号尚荣城产业园8栋6楼

IPC主分类号：

C23C14/04

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/35

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

何世磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/04申请日:20240513
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[2]

一种氮化钽薄膜及其制备方法 [P].

闫广平 .

中国专利 :CN114150281B ,2022-03-08

[3]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[4]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[5]

一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法 [P].

徐永兵 ;

潘正灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN117637270A ,2024-03-01

[6]

一种氧氮化钽单晶薄膜及其制备方法 [P].

宁楚怡 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

王新伟 ;

彭邵勤 ;

张婷婷 ;

张娇 ;

苏冠华 ;

刘剑 .

中国专利 :CN120230989A ,2025-07-01

[7]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[8]

氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

马飞 ;

莫炯炯 ;

蔡全福 ;

魏婷婷 .

中国专利 :CN112562946A ,2021-03-26

[9]

一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法 [P].

王进 .

中国专利 :CN109111925A ,2019-01-01

[10]

一种强化氮化钽薄膜的方法 [P].

蔡旻錞 .

中国专利 :CN120015609A ,2025-05-16

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