一种氮化钽薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111389072.6

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114150281B

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

闫广平

申请人：

申请人地址：

100095 北京市海淀区地锦路33号院1号楼3层N8303

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1418 C23C1448 C23C1406 C23C1408

代理机构：

北京知果之信知识产权代理有限公司 11541

代理人：

高科

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	授权	授权
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20211122
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

[2]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[3]

一种氧氮化钽单晶薄膜及其制备方法 [P].

宁楚怡 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

王新伟 ;

彭邵勤 ;

张婷婷 ;

张娇 ;

苏冠华 ;

刘剑 .

中国专利 :CN120230989A ,2025-07-01

[4]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[5]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[6]

氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

马飞 ;

莫炯炯 ;

蔡全福 ;

魏婷婷 .

中国专利 :CN112562946A ,2021-03-26

[7]

一种改善氮化钽薄膜均匀性的制备工艺 [P].

崔鸽 ;

徐健 ;

孙世刚 .

中国专利 :CN114481016A ,2022-05-13

[8]

一种镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载及其制备方法 [P].

张怀武 ;

赵祖静 ;

杨雪梅 .

中国专利 :CN105811066B ,2016-07-27

[9]

一种强化氮化钽薄膜的方法 [P].

蔡旻錞 .

中国专利 :CN120015609A ,2025-05-16

[10]

氮化钽薄膜的制备方法及半导体器件 [P].

陈凯 ;

王珺楠 ;

杨清汝 .

中国专利 :CN119979169A ,2025-05-13

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