一种氮化钽薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911023958.1

申请日：

2019-10-25

公开(公告)号：

CN110783049A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

100089 北京市海淀区地锦路33号院1号楼3层N8303

IPC主分类号：

H01C17075

IPC分类号：

H01C1712 H01C1714 C23C1406 C23C1434

代理机构：

北京卓唐知识产权代理有限公司 11541

代理人：

唐海力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01C 17/075 申请日:20191025
2022-05-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01C 17/075 申请公布日:20200211
2020-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[2]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

[3]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[4]

一种氮化钽薄膜及其制备方法 [P].

闫广平 .

中国专利 :CN114150281B ,2022-03-08

[5]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[6]

一种氧氮化钽单晶薄膜及其制备方法 [P].

宁楚怡 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

王新伟 ;

彭邵勤 ;

张婷婷 ;

张娇 ;

苏冠华 ;

刘剑 .

中国专利 :CN120230989A ,2025-07-01

[7]

一种强化氮化钽薄膜的方法 [P].

蔡旻錞 .

中国专利 :CN120015609A ,2025-05-16

[8]

氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法 [P].

刘剑林 ;

严勇 ;

罗向阳 ;

朱沙 ;

杨舰 ;

张弦 ;

史天柯 ;

刘金鑫 ;

李吉云 ;

韩玉成 .

中国专利 :CN102800448B ,2012-11-28

[9]

氮化钽薄膜的制备方法及半导体器件 [P].

陈凯 ;

王珺楠 ;

杨清汝 .

中国专利 :CN119979169A ,2025-05-13

[10]

一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法 [P].

杨俊锋 ;

李杰成 ;

梁家伟 ;

陈炜豪 ;

赖辉信 ;

庄彤 .

中国专利 :CN109637766A ,2019-04-16

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