一种强化氮化钽薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311543145.1

申请日：

2023-11-16

公开(公告)号：

CN120015609A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

蔡旻錞

申请人：

成都紫光半导体科技有限公司

申请人地址：

611730 四川省成都市成都高新区尚雅路7号附1号1楼

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/285

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理有限公司 11447

代理人：

王浩然

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20231116
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[2]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[3]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

[4]

一种氮化钽薄膜及其制备方法 [P].

闫广平 .

中国专利 :CN114150281B ,2022-03-08

[5]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[6]

一种氧氮化钽单晶薄膜及其制备方法 [P].

宁楚怡 ;

曹彦伟 ;

张如意 ;

王新伟 ;

彭邵勤 ;

张婷婷 ;

张娇 ;

苏冠华 ;

刘剑 .

中国专利 :CN120230989A ,2025-07-01

[7]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[8]

一种提高铁氧体基片氮化钽薄膜均匀性的方法 [P].

董世轩 ;

王强 ;

邹冠生 ;

周大伟 .

中国专利 :CN117165903B ,2025-12-09

[9]

一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法 [P].

杨俊锋 ;

李杰成 ;

梁家伟 ;

陈炜豪 ;

赖辉信 ;

庄彤 .

中国专利 :CN109637766A ,2019-04-16

[10]

氮化钽薄膜的制备方法及半导体器件 [P].

陈凯 ;

王珺楠 ;

杨清汝 .

中国专利 :CN119979169A ,2025-05-13

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