一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311684313.9

申请日：

2023-12-11

公开(公告)号：

CN117637270A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

徐永兵潘正灿严羽

申请人：

南京大学

申请人地址：

210026 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01C17/075

IPC分类号：

H01C7/00

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

杜静静

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01C 17/075申请日:20231211

共 50 条

[1]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[2]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

[3]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[4]

一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法 [P].

唐云俊 ;

王昱翔 .

中国专利 :CN114574825A ,2022-06-03

[5]

氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

马飞 ;

莫炯炯 ;

蔡全福 ;

魏婷婷 .

中国专利 :CN112562946A ,2021-03-26

[6]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[7]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[8]

一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

丁明建 ;

李杰成 ;

李锦添 ;

杨俊峰 .

中国专利 :CN104361967B ,2015-02-18

[9]

一种氮化钽薄膜及其制备方法 [P].

闫广平 .

中国专利 :CN114150281B ,2022-03-08

[10]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104A ,2025-01-28

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